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【广东省：推动RISC-V、广东光芯关键端侧AI、省推光芯片等关键芯片研发】
《广东省国民经济和社会发展第十五个五年规划纲要》已正式发布。动R端侧文件指出，芯片重点发展集成电路，广东光芯关键尤其是省推高端芯片和特色芯片，围绕超越摩尔技术和汽车芯片产品。动R端侧将推进RISC-V（第五代精简指令集）、芯片端侧AI、广东光芯关键光芯片、省推智能传感器以及存算一体等前沿芯片的动R端侧研发。同时，芯片增强碳化硅和氮化等创新半导体材料的广东光芯关键研发，攻克光掩模和光刻胶等关键材料，省推致力于自主可控的动R端侧工艺及先进封装设备的研制。